Транзистор SGT50T65FD1PN

50A，600V，Field Stop IGBT

Корпус: TO3P
Производитель: SILAN
Товар в наличии

55,89

грн

55,89

грн

от 1 шт. :	—	55,89	грн
от 10 шт. :	—	50,30	грн	( -10,0%)
от 30 шт. :	—	47,51	грн	( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр

118 шт.

Для Интернет-Заказов

118 шт.

Характеристики
Изображения
Документация
Отзывы-Вопросы

Технические характеристики

Производитель	SILAN
Корпус	TO3P
Структура	IGBT + Diode
Схема соединения	Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер	650 V
Напряжение затвор - эмиттер	±20 V
Макс. ток коллектора (25°C)	100 А
Макс. ток коллектора (100°C)	50 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)	38 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C	235 Вт
Тип упаковки	Туба
Стандартная упаковка	30 шт

Техническая документация

Файл с описанием (510Kb)

Изображение товара

Оставлять отзывы и задавать вопросы могут только зарегистрированные пользователи

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.

Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Транзистор SGT50T65FD1PN

Текущие остатки:

Похожие товары

Технические характеристики

Техническая документация

Изображение товара

Оставлять отзывы и задавать вопросы могут только зарегистрированные пользователи

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…

Последние просмотренные товары Посмотреть Последние...